氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)
2017-11-14 來(lái)自: 湖南鑫萬(wàn)特金屬材料有限公司 瀏覽次數:856
長(cháng)沙萬(wàn)特新材料氧化銦錫(ITO)因為其在可見(jiàn)光區的高透射率和低電阻率,作為一種透明導電薄膜被廣泛的應用于太陽(yáng)能電池和液晶顯示器等各種光電設備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料,國外對其壓阻效應已經(jīng)有了滿(mǎn)足的注重,新的研討還在不斷地打開(kāi),可是國內對此的研討還適當少。
本文意在經(jīng)過(guò)丈量氧化銦錫的電阻溫度系數(TCR)和室溫下的呼應因子來(lái)研討氧化銦錫的壓阻效應。 運用電子束蒸發(fā)技能,選擇適宜的成長(cháng)參數在玻璃襯底上制備所需的氧化銦錫薄膜,進(jìn)行了化學(xué)成分、晶體結構、光學(xué)性質(zhì)等慣例丈量,并研討了退火對薄膜性質(zhì)的影響。然后用光刻和刻蝕的辦法制作電學(xué)測驗所需的圖形。對于ITO薄膜的電學(xué)測驗包含對其電阻溫度系數和呼應因子的丈量?jì)刹糠?。前者是用黑體輻射來(lái)改動(dòng)ITO樣品的溫度,丈量在不同溫度下的薄膜電阻值,并建立了一個(gè)理論模型來(lái)擬合溫度下降階段ITO樣品電阻值的改動(dòng),并從擬合參數中得到其電阻溫度系數和激活能。后者是在室溫下,經(jīng)過(guò)改動(dòng)薄膜一端的位移,丈量不同應變下ITO圖形樣品的電阻值,核算得到其呼應因子。因為ITO樣品的電阻值在丈量過(guò)程中存在一個(gè)不能被忽視的跟著(zhù)時(shí)刻的漂移量,所以在核算過(guò)程中考慮了這一漂移量帶來(lái)的影響。同時(shí)還估算了因為測驗電流發(fā)生的焦耳熱引起的溫升,證明溫升引起的電阻改動(dòng)遠遠小于壓阻效應,可以疏忽。試驗中分別丈量ITO樣品在拉應變和壓應變不同條件下的呼應因子,得到的呼應因子大約為-2.1。